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DGTD65T40S1PT
制造厂商:DIODES(美台半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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技术参数详情:
制造商产品型号:DGTD65T40S1PT制造商:DIODES(ZETEX)技术参数:IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):80A电流-集电极脉冲(Icm):160A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A功率-最大值:341W开关能量:1.15mJ(开),350μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:219nC25°C时Td(开/关)值:58ns/245ns测试条件:400V,40A,7.9 欧姆,15V反向恢复时间(trr):145ns工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3现在可以订购DGTD65T40S1PT,为您采购DGTD65T40S1PT提供全方位的服务。