Diodes栅极驱动器可以在半桥或全桥配置下开关功率MOSFET与IGBT
Diodes公司(DiodesIncorporated)新推出的DGD21xx该系列包括六个半桥栅极驱动,六个高/低600V在半桥或全桥的配置下,栅极驱动器可以轻松开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包括大型家用电器的驱动电机、工业自动化系统、电动自行车和无人驾驶飞机。新产品也适用于6000多个W的电源,以及燃料电池、太阳能和风力发电应用的反相器。
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DGD21xx该系列可自举至600V浮动高侧驱动适用于电机驱动和电源中常见的高压电源轨道。实现高峰电流驱动能力MOSFET与IGBT快速开关可以在高频工作下提高效率。这些设备的输入逻辑兼容性低至3.3V,进一步简化控制器与电源开关之间的接口设计。
Diodes是什么品牌为防止MOSFET或IGBT所有设备都提供了延迟匹配的能力,而半桥驱动器也备了预设的内部死区时间。其他自我保护功能包括有效防止触发故障的施密特(Schmitt)输入;能承受由高dV/dt开关产生负瞬态的栅极驱动器,以及在低电压下防止故障的欠压锁。
采用新产品系列SO-8或SO-16包装与其他来源的设备兼容。欲了解更多产品信息,请访问www.diodes.com。
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