整合优质DIODES代理商现货渠道
轻松满足您的DIODES芯片采购需求
DMJ70H1D3SI3
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-251
技术参数：MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
（专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
技术参数详情：
制造商产品型号：DMJ70H1D3SI3制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：700V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.6A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 2.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.9nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：351pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：41W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251现在可以订购DMJ70H1D3SI3，为您采购DMJ70H1D3SI3提供全方位的服务。
