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DMN100-7
制造厂商:DIODES(美台半导体)
类别封装:单端场效应管,SC-59-3
技术参数:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
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技术参数详情:
制造商产品型号:DMN100-7制造商:DIODES(ZETEX)技术参数:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.1A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):240 毫欧 @ 1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SC-59-3现在可以订购DMN100-7,为您采购DMN100-7提供全方位的服务。