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DMN100-7
  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:单端场效应管,SC-59-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营DIODES芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,DIODES授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:DMN100-7
  • 制造商:DIODES(ZETEX)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.1A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):240 毫欧 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SC-59-3
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