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DMN2008LFU-7
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-UFDFN
技术参数：MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN2008LFU-7制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）共漏FET功能：标准漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：14.5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.4 毫欧 @ 5.5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：42.3nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1418pF @ 10V功率-最大值：1W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-UFDFN现在可以订购DMN2008LFU-7，为您采购DMN2008LFU-7提供全方位的服务。
