DMN3010LSS-13(图片，参数，技术文档) - DIODES公司授权中国代理商

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产品参考图片

DMN3010LSS-13

制造厂商：DIODES（美台半导体）

类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOP

技术参数：MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

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技术参数详情：

制造商产品型号：DMN3010LSS-13

制造商：DIODES（ZETEX）

技术参数：MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 16A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2096pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-SOP

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