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DMN3015LSD-13
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN3015LSD-13制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：8.4A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 12A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25.1nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1415pF @ 15V功率-最大值：1.2W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购DMN3015LSD-13，为您采购DMN3015LSD-13提供全方位的服务。
