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DMN3018SFG-13
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerDI3333-8
技术参数：MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN3018SFG-13制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：8.5A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.2nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：697pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerDI3333-8现在可以订购DMN3018SFG-13，为您采购DMN3018SFG-13提供全方位的服务。
