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DMN3029LFG-13
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：单端场效应管，PowerDI3333-8
技术参数：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN3029LFG-13制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18.6 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.3nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：580pF @ 15V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerDI3333-8现在可以订购DMN3029LFG-13，为您采购DMN3029LFG-13提供全方位的服务。
