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DMT10H009LH3
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-251
技术参数：MOSFET N-CH 100V 84A TO251
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMT10H009LH3制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET N-CH 100V 84A TO251系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：84A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20.2nC @ 4.5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2309pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：96W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251现在可以订购DMT10H009LH3，为您采购DMT10H009LH3提供全方位的服务。
