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DMT12H007LPS-13
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerDI5060-8
技术参数：MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMT12H007LPS-13制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：120V25°C时电流-连续漏极(Id)：90A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.8 毫欧 @ 30A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3224pF @ 60VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.9W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerDI5060-8现在可以订购DMT12H007LPS-13，为您采购DMT12H007LPS-13提供全方位的服务。
