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DMT12H090LFDF4-7
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：X2-DFN2020-6
技术参数：MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMT12H090LFDF4-7制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：115V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.4A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 3.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 10VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：251pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：900mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：X2-DFN2020-6现在可以订购DMT12H090LFDF4-7，为您采购DMT12H090LFDF4-7提供全方位的服务。
