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DMT3011LDT-7
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-VDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMT3011LDT-7制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：8A，10.7A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.2nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：641pF @ 15V功率-最大值：1.9W工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-VDFN现在可以订购DMT3011LDT-7，为您采购DMT3011LDT-7提供全方位的服务。
