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DMTH6010LPD-13
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMTH6010LPD-13制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：13.1A（Ta），47.6A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40.2nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2615pF @ 30V功率-最大值：2.8W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFN现在可以订购DMTH6010LPD-13，为您采购DMTH6010LPD-13提供全方位的服务。
