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DRDNB26W-7
制造厂商:DIODES(美台半导体)
类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
技术参数:TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
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技术参数详情:
制造商产品型号:DRDNB26W-7制造商:DIODES(ZETEX)技术参数:TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363系列:晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置零件状态:停产晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管电流-集电极(Ic)(最大值):600mA电压-集射极击穿(最大值):50V电阻器-基极(R1):220 Ohms电阻器-发射极(R2):4.7 kOhms不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):47 @ 50mA,5V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA电流-集电极截止(最大值):500nA频率-跃迁:200MHz功率-最大值:200mW安装类型:表面贴装型封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363现在可以订购DRDNB26W-7,为您采购DRDNB26W-7提供全方位的服务。