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ZXM66P02N8TA
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SO
技术参数：MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
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技术参数详情：
制造商产品型号：ZXM66P02N8TA制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.4A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 3.2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2068pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SO现在可以订购ZXM66P02N8TA，为您采购ZXM66P02N8TA提供全方位的服务。
