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ZXMC6A09DN8TA
制造厂商:DIODES(美台半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
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技术参数详情:
制造商产品型号:ZXMC6A09DN8TA制造商:DIODES(ZETEX)技术参数:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 和 P 沟道FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):3.9A,3.7A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 8.2A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小)不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):24.2nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1407pF @ 40V功率-最大值:1.8W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)现在可以订购ZXMC6A09DN8TA,为您采购ZXMC6A09DN8TA提供全方位的服务。