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ZXMN10A08G
制造厂商：DIODES（美台半导体）
类别封装：单端场效应管，SOT-223
技术参数：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
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技术参数详情：
制造商产品型号：ZXMN10A08G制造商：DIODES（ZETEX）技术参数：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 3.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 50V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223现在可以订购ZXMN10A08G，为您采购ZXMN10A08G提供全方位的服务。
